最新技術紹介映像 より：半導体技術の進化は、微細化と性能向上を中心に進められてきました。従来のFinFET構造は限界に達し、次世代トランジスタとして注目されるのがGate All Around（GAA）技術です。GAAはゲートがチャネルを四方から囲む構造を持ち、さらに小型化と高効率を実現します。2022年にはSamsungがGAAを採用した3nmトランジスタ「MBCFET」の量産を開始し、TSMCやIntelもGAA技術の導入を進めています。
千歳のラピダスはIBMと連携し、EUV露光装置を活用して2nmナノプロセスに挑戦し、2025年7月に試作に成功し、その計画の速さで世界を驚かせています。さらに、GAAを進化させたフォークシートFETやCFETなど、次世代の微細化技術が研究開発されています。これらは3次元構造や新材料の採用を通じて、さらなる集積度と効率を追求するものです。
AIの進化により半導体設計の効率化が進む中、北海道のラピダスには国内外の最先端技術と連携し、日本発の独自技術で幅広い半導体産業の未来を切り開
くことが期待されています。また、国際海底ケーブルの視点から見ても、北海道の位置は、日本のデータセンター、国際的拠点（計画中）として重要です。さらに東京大学が、世界最先端の1nm半導体技術の開発に成功。 この偉業に、海外メディアや研究者たちが次々と日本の技術に驚愕の声を上げています。 映像記事：東大が1nm半導体開発成功！世界「日本に勝てない」と驚愕：ラピダスに至る歴史と今後の展望： 過去ブログ：2025年8月ＮＴＴが開発した「光半導体」で世界が激変と６Ｇで狙うデジタル植民地脱出：7月北海道千歳市のラピダスが２ナノ半導体の試作成功、キャノンは１ナノ製造装置開発：1月デンマークが自治領グリーンランド、北極圏の軍事力強化表明：
